国家/地区 中国（3） 欧洲专利局（EPO）（3） 日本（3） 韩国（3） 美国（3） 世界知识产权组织（3） 印度（2） 墨西哥（2） 俄罗斯（2） 台湾（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3） C01（3） C30（3）
C23（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y030/00（3）
发明人 VEERASAMY V（2） VEERASAMY V S（2）
公开年 2011（3）
申请年 2009（2） 
专利权人 GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2）

Manufacturing graphene, comprises performing vapor phase epitaxy on substrate comprising silicon carbide surface, and controlling sublimation of silicon from the substrate by flow of e.g. inert gas (argon) through epitaxial reactor.

STRUPINSKI W, STRUPIAFSKI W, STRUPINSKI W O

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V