国家/地区 中国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y040/00（3） C01B031/04（2） C01B032/186（2）
C23C016/26（2）
发明人 XIE X（3）
公开年 2012（2）
申请年
专利权人 SHANGHAI INS.（3） CHINESE ACAD.（2） DING G（2） XIE X（2）

Graphene boundary control method comprises providing an insulating substrate, placing in a growth chamber, introducing first reaction gas and controlling the flowrate of first reaction gas.

WANG H, CHEN L, HE L, XIE H, WANG X, XIE X

Preparation of graphene by selecting substrate material, depositing directly catalyst and tetrabromomethane on substrate surface, and annealing substrate.

DI Z, DING G, GONG Q, LIU Q, WANG H, WANG S, XIE X

Hexagonal boron nitride substrate used for manufacturing graphene nano belt used in electronic device, consists of boron nitride substrate layer and single atom layer.

DING G, JIANG M, TANG S, XIE X