国家/地区 美国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C30（2） H01（2）
IPC小类 C30B（2）
IPC C30B025/18（2）
发明人
公开年 2018（2）
申请年 2017（2）
专利权人

Semiconductor structure having multiple-porous graphene layer, includes gallium nitride layer formed on multiple-porous graphene layer which is formed on semiconductor substrate.

LAI C, TAN C, SINGH P, LAI C S

Preparation of graphene on surface of silicon carbide, involves subjecting silicon carbide crystal with crystallographic orientation of surface to specified pressure, annealing under preset pressure, and annealing in stream of silicon atoms.

CIOCHON P, KOLODZIEJ J, CICHON P