国家/地区 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 韩国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B32（2） C01（2） C30（2）
H01（2）
IPC小类 B32B（2）
IPC C01B032/184（2）
发明人 AHMED M（2） IACOPI F（2）
公开年
申请年
专利权人 UNIV GRIFFITH（2）

Process for forming high surface area graphene structure of super-capacitor used with battery, involves removing silicide regions to provide silicon carbide structure having highly irregular surface and surface layer of graphene.

AHMED M, IACOPI F

Formation of graphene for structure formation involves depositing metals on surface of silicon carbide and heating silicon carbide and metals under predetermined conditions.

IACOPI F, AHMED M, CUNNING B V