国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C23（2） C30（2）
IPC小类 C23C（2）
IPC C30B023/02（2）
发明人
公开年 2020（2）
申请年
专利权人

Composite seed crystal useful for aluminum nitride single crystal growth comprises aluminum nitride ceramic substrate, graphene thin layer on aluminum nitride ceramic substrate and aluminum nitride thin film on graphene thin layer.

GUO L, HU W, WANG W, CHEN X

Ferromagnetic/graphene/ferromagnetic heteroepitaxial film has graphene layer that is directly epitaxially grown on first heteroferromagnetic layer, and second heteroferromagnetic layer is epitaxially grown on graphene layer.

PAN M, PENG J, HU Y, LI P, QIU W, HU J, CHEN D