国家/地区 中国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y040/00（2）
发明人
公开年 2012（2）
申请年
专利权人

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y

Hexagonal boron nitride substrate used for manufacturing graphene nano belt used in electronic device, consists of boron nitride substrate layer and single atom layer.

DING G, JIANG M, TANG S, XIE X