国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C30（2） H01（2）
IPC小类 C30B（2）
IPC C30B033/02（2）
发明人
公开年 2020（2）
申请年 2020（2）
专利权人

Ferromagnetic/graphene/ferromagnetic heteroepitaxial film has graphene layer that is directly epitaxially grown on first heteroferromagnetic layer, and second heteroferromagnetic layer is epitaxially grown on graphene layer.

PAN M, PENG J, HU Y, LI P, QIU W, HU J, CHEN D

Manufacturing substrate material useful for graphene growth, comprises e.g. cutting sapphire crystal, forming sapphire plate blank, grinding sapphire sheet blank to form sapphire sheet semifinished product, and chamfering sapphire sheet.

ZHOU Z, YANG L, SHI M, LI Z