国家/地区 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C30（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/184（2）
发明人 BERRY V（2）
公开年
申请年
专利权人 SUNEDISON SE.（2）

Formation of multilayer structure, involves epitaxially depositing graphene layer on layer comprising cobalt that is in contact with dielectric layer and has semiconductor wafer with front wafer surface contacting dielectric layer.

BERRY V, BEHURA S, NGUYEN P, SEACRIST M R

Preparing multilayer article from semiconductor substrate involves forming metal film on front of substrate; forming layer of boron nitride; and forming layer of graphene between substrate and the back metal film surface.

SEACRIST M R, BERRY V, NGUYEN P T