国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/04（3） C01B031/02（2） C01B032/186（2）
C23C016/26（2） H01B001/04（2）
发明人 HONG B（3）
公开年
申请年
专利权人 HANWHA TECHW.（2） SAMSUNG TECH.（2） UNIV SUNGKYU.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Doping method of graphene for manufacturing graphene composite electrode and graphene structure, involves forming precursor polymer layer for doping on substrate, and positioning graphene on substrate.

MOON J, PARK W, PARK S, JO I, HONG B, SAN MOON J, SU C I, BAE P W, BEOM P S, HUI H B, ZHENSHAN W, WONBAE P, SUBEOM P, INSU J, BYUNGHEE H

Manufacture of graphene used for forming graphene sheet, involves supplying carbon source-containing gas to metal catalyst layer for graphene growth, and forming graphene by inductively coupled plasma-chemical vapor deposition.

AHN J, BAE S K, HONG B H, JANG H, JUNG M H, KIM S J, LEE Y, YOO J B, AHN J H, LIU Z, BAE S, HONG B, LI R, JUNG M, KIM S

Making graphene comprises preparing graphene member comprising e.g. base member, oxide layer and metal catalyst layer, applying water to graphene member, separating metal catalyst layer from oxide layer and removing metal catalyst layer.

AHN J, HONG B, LEE Y, SONG Y, SONG Y I, AHN J H, LEE Y B, HONG B H, LI R