国家/地区 台湾（4）
IPC部 H（4） B（3） C（3）
IPC大类 H01（4） B82（3） C01（3）
C23（2）
IPC小类 B82Y（3） C01B（3） C23C（2）
H01B（2） H01L（2）
IPC C01B031/04（3） B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
H01B001/04（2） H01L021/336（2） H01L029/16（2）
发明人 FENG X（2） IVANOVICI S（2） MUELLEN K（2）
MULLEN K（2） YANG S（2）
公开年 2011（4）
申请年 2011（4）
专利权人 BASF SE（2） MAX PLANCK G.（2） MAXPLANCKGES.（2）

Method for depositing graphene on substrate for semiconductor device, involves heating substrate in chemical vapor deposition chamber and flowing carbon precursor into chamber.

PADHI D, JANZEN J, SHAIKH S, KIM B, CHIN B, KIM B H

Nanoparticles, useful in electrochemical cells and supercapacitors for storing and/or releasing lithium ions, comprise component A of metals, semimetals, metal compounds or semimetal compounds e.g. lithium cobalt oxide, and graphene coating.

IVANOVICI S, YANG S, FENG X, MUELLEN K, MULLEN K

Semiconductor device has complementary metal oxide semiconductor device layer that is in contact with source and drain, and gate are that connected to graphene channel respectively.

CHEN K, LIN Y, AVOURIS P, FARMER D B, FARMER D, CHEN K N, LIN Y M, KUANNENG C, YUMING L

Producing two-dimensional nanomaterials comprises e.g. providing a mixture comprising e.g. graphene oxide particles and water, adding a sol precursor compound to the mixture, and reacting the mixture in a sol/gel process to form gel.

FENG X, IVANOVICI S, MUELLEN K, YANG S, MULLEN K