国家/地区 韩国（3）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/02（2）
发明人 CHOI I S（2） CHOI S Y（2） HONG B H（2）
LEE K J（2）
公开年 2012（3）
申请年 2010（3）
专利权人 KOREA ADV INST SCI TECHNOLOGY（3）

Graphene transistor manufacturing method involves forming drain and gate electrode on insulating layer that is laminated between source and drain regions.

LEE K J, CHOI I S, CHOI S Y, HONG B H

Method for improving graphene property involves irradiating laser beam on graphene grown on substrate, and heat treating.

LEE K J, CHOI I S, CHOI S Y, HONG B H

Graphene hybrid material used for anode material of lithium ion secondary battery, comprises ferric phosphate and graphene.

KANG K S, KIM H G, SEOK G G, GYEOM K H