国家/地区 中国（2） 美国（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C30（3） B82（2） C23（2）
IPC小类 C30B（3）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C23C016/26（2）
发明人 WANG H（3）
公开年 2012（3）
申请年 2012（2） 
专利权人 WANG H（2）

Manufacturing electrode, used in e.g. supercapacitor, comprises using precursor particles to form nanoparticles on graphene sheet and diffusing and re-crystallizing nanoparticles to form single-crystal structure on surface of graphene sheet.

DAI H, WANG H

Preparation of graphene by selecting substrate material, depositing directly catalyst and tetrabromomethane on substrate surface, and annealing substrate.

DI Z, DING G, GONG Q, LIU Q, WANG H, WANG S, XIE X

Method for epitaxially growing graphene on silicon carbide wafer involves processing silicon carbide wafer with hydrogen and silane to remove oxide produced on wafer surface, and supplying argon.

LEI T, WANG D, TANG X, LEI J, WANG Y, ZHANG Y, WANG H