国家/地区 韩国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3） H01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B032/182（2） C01B032/186（2） H01M004/36（2）
H01M004/62（2）
发明人 PARK S（3）
公开年 2018（3）
申请年 2017（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Semiconductor device comprises substrate comprising insulator and semiconductor comprising group IV material and/or group III-V compound, and graphene layer grown on surface of semiconductor.

SHIN K, SHIN H, CHO Y, NAM S, PARK S, LEE Y, SHIN K W, SHIN H J, CHO Y C, NAM S G, PARK S J, LEE Y S

Three-dimensional graphene structure preparation involves forming graphene precursor by heating carbohydrate and gas generator, forming graphene structure having cavity by carbonizing graphene precursor, and then forming nanopores.

KIM T, YOU I, KIM B N, KIM I G, JUNG S, PARK S, YOUNG K T, KYU Y I, NA K B, GYOO K I, HOON J S, JUN P S

Porous silicon composite clusters used in carbon composite for electrode, comprise porous core comprising silicon secondary particles comprising aggregates of silicon primary particles comprising silicon, silicon oxide and graphene.

SON I, LEE J, PARK S, HAN S, SON I H, LEE J M, PARK S Y, LEE J H, HAN S S, LI Z