国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C30（3） C23（2） H01（2）
IPC小类 C30B（3）
IPC C30B025/18（3） C30B029/40（2） H01L021/02（2）
发明人 FENG H（3）
公开年 2022（3）
申请年 2021（3） 
专利权人 CEC COMPOUND.（2）

Preparation of gallium nitride epitaxial structure by providing a silicon carbide substrate, pre-processing, growing a graphene film, growing diamond film, growing aluminum nitride polycrystalline film, and annealing.

PAN Y, FENG H, TANG J

Preparing epitaxial structure for gallium nitride-based radio frequency device, comprises e.g. performing surface cleaning treatment, annealing the silicon carbide substrate to produce graphene film, growing indium-galliun-nitride-aluminum-gallium-nitride barrier layer.

PAN Y, FENG H, TANG J

Preparation of ultrathin beta-radiation source for micro-components, involves using polymethyl methacrylate/graphene film and platinum sheet, and depositing beta-radiation source on graphene using solution of e.g. beta-radiation source.

ZHANG J, LI C, WANG X, XU P, FENG H, CHEN Z, YANG Y, WU W, ZHOU C, LUO T