国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C23（2）
IPC小类 C23C（2）
IPC
发明人
公开年 2023（2）
申请年
专利权人 UNIV PEKING（2）

Preparing a metal wafer substrate involves forming metal thin film on the sapphire substrate by magnetron sputtering, and annealing under mixed atmosphere of hydrogen and argon.

PENG H, YANG Y, CAO Y, TANG J, YAN R, DU Y

Growing single crystal III-nitrides on ceramic substrate comprises e.g. depositing filling material on surface of ceramic substrate, grinding and polishing to obtain smooth surface, and/or forming aluminum-oxygen compound layer or two-dimensional material layer on surface.

GUO F, YANG H, CHEN Z, WU J, SHEN B, YANG X