国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/188（2）
发明人 MA F（2）
公开年
申请年
专利权人 UNIV XIAN JI.（2）

Preparing single-layer graphene comprises taking single crystal silicon carbide substrate, heating, annealing and inserting metal in atoms under buffer layer.

HUI X, HU T, YANG D, MA F, MA D, XU K

Preparing large-area regular epitaxial graphene doped with metal atoms comprises e.g. taking monocrystal silicon carbide substrate as growth substrate, heating the monocrystal silicon carbide sample and degassing.

HU T, MA F, XU K, MA D, LIU X, ZHANG X