国家/地区 中国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B05（3） B32（3） B82（3）
C01（3） H01（3）
IPC小类 B05D（3）
IPC B82Y030/00（3） B82Y040/00（3） C01B031/02（3）
B05D005/12（2） B32B009/04（2） C01B031/00（2）
H01B001/04（2）
发明人
公开年 2011（3）
申请年 2011（3）
专利权人

Film, useful in semiconductor devices for displays devices and field effect transistors, comprises a base layer having amino groups, and a reduced graphene oxide layer formed on the base layer.

KOBAYASHI T, TOSHIYUKI K

Preparation of graphene-type conductive material involves applying oxide graphene sol and metal salt solution and/or metal colloidal solution on substrate layer, separating, forming solid film and treating at specified condition.

LIANG M, ZHI L

Manufacturing graphene comprises preparing a subject substrate, forming a metal thin film, supplying a carbon source material, heating, diffusing carbon atoms, and forming graphene on the subject substrate.

KWON S, PARK K, YOON E, KWAK J, KWON S Y, YOON U