国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C03（2） C23（2）
H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/02（2）
发明人
公开年
申请年 2010（2）
专利权人

Forming recrystallized metal layer for growing graphene monolayer involves forming metal layer on substrate; forming layer of dielectric material on the metal layer; and directionally recrystallizing the metal layer.

YAGER T A

Method of transferring larger-sized graphene used in electric circuit, involves removing adhesive and protection layers from graphene layer respectively.

BAE S, CHUNG H, HEO J, JUNG M, KANG S, SEO D, SEO S, WOO Y, BAE S K, CHUNG H J, HEO J S, JUNG M H, KANG S R, SEO S A, WOO Y S, JUNG H J, HUH J S, YEO R, HUH J, JUNG H