国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） C23（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/186（2）
发明人
公开年
申请年 2016（2）
专利权人

Processing method for growing metal-doped graphene, involves performing plasma enhanced chemical vapor deposition process with carbon precursor, metal precursor, and predetermined element precursor to form metal-doped graphene.

HUANG K, CHI Y, JI Y

Doping method of graphene for manufacturing graphene composite electrode and graphene structure, involves forming precursor polymer layer for doping on substrate, and positioning graphene on substrate.

MOON J, PARK W, PARK S, JO I, HONG B, SAN MOON J, SU C I, BAE P W, BEOM P S, HUI H B, ZHENSHAN W, WONBAE P, SUBEOM P, INSU J, BYUNGHEE H