国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C30（3） B82（2） C01（2）
C23（2） H01（2）
IPC小类 C30B（3）
IPC B82B003/00（2） B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
C01B031/02（2） C01B031/04（2） C01B032/188（2）
C30B029/02（2）
发明人 VEERASAMY V（2） VEERASAMY V S（2）
公开年 2011（3）
申请年 2009（3）
专利权人 GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2）

Preparing graphene on diamond surface, comprises e.g. placing substrate on substrate support in cavity of a filament chemical vapor deposition system and growing a diamond intermediate layer, growing boron doped diamond film and annealing.

LI J, GU C, LU C

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V