国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L051/42（2） H01L051/48（2）
发明人 LIN J（2）
公开年 2022（2）
申请年 2021（2） 
专利权人 UNIV SOUTH CHINA TECHNOLOGY（2）

Gallium arsenide nano cone array Schottky junction solar cell has n-type doped gallium arsenide surface with nano-cone array, n-type gallium arsenide substrate, gallium arsenide nano-convex array, and back electrode.

LIN J, GAO P, CHEN J, LI G

Perovskite/gallium arsenide single junction hybrid solar cell comprises back electrode, n-type doped gallium arsenic arsenide layer, perovskite layer, graphene layer and front electrode sequentially stacked from bottom to top.

LIN J, HE X, CHEN J, LI G