国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/02（2） H01L021/20（2）
发明人 AKIHIRO H（2） HASHIMOTO A（2） MASAAKI S（2）
MITSUHIKO O（2） OGIHARA M（2） OGIWARA M（2）
SAGIMORI T（2） SAKUTA M（2） TOMOHIKO S（2）
公开年 2010（2）
申请年 2010（2） 
专利权人 OKI DATA KK（2）

Releasing graphene layer from substrate, comprises forming graphene layer on surface of first substrate, forming metal layer on a surface of graphene layer and applying a pulling force on the metal layer to detach graphene layer.

OGIHARA M, SAGIMORI T, SAKUTA M, HASHIMOTO A, TANAKA S, OGIWARA M, MITSUHIKO O, TOMOHIKO S, MASAAKI S, AKIHIRO H

Separating nitride semiconductor layer from substrate to manufacture nitride semiconductor device and wafer, by growing graphene layer in form of single layer/layers on surface of substrate and forming semiconductor layer on graphene layer.

OGIHARA M, SAGIMORI T, SAKUTA M, HASHIMOTO A, OGIWARA M, WASHIMORI T, MITSUHIKO O, TOMOHIKO S, MASAAKI S, AKIHIRO H