国家/地区 中国（4）
IPC部 C（4）
IPC大类 C01（4）
IPC小类 C01B（4）
IPC C01B031/02（4） C01B031/04（4） B82Y040/00（2）
C07C025/22（2） H01L051/50（2）
发明人 FENG X（3） MUELLEN K（3） MULLEN K（3）
CAI J（2） FASEL R（2） MILLEN K（2）
RUFFIEUX P（2） TSAI J（2）
公开年 2014（2）
申请年 2013（4）
专利权人 BASF CHINA C.（3） BASF SE（3） MAX PLANCK G.（3） BASF SCHWEIZ.（2）

Producing in electrochemical cell of one or more of graphene, graphite nanoplatelet structures, and graphane, involves passing current through cell to intercalate ions into graphitic negative electrode.

DRYFE R A W, KINLOCH I A, ABDELKADER A M, JEFF R A W, DRYFE R A V

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

New oligophenylene monomer useful in polymeric precursor for preparing graphene nanoribbons that used are in thin film semiconductor of electronic, optical, or optoelectronic device e.g. organic field effect transistor device.

MUELLEN K, FENG X, CAI J, RUFFIEUX P, FASEL R, NARITA A, TSAI J, MULLEN K, MILLEN K

Graphene nanoribbon used for e.g. spintronic device, contains repeating unit having modification(s) chosen from heteroatomic substitution, vacancy, stone-wales defect, inverse stone-wales defect, and hybridized carbon network.

FASEL R, RUFFIEUX P, MUELLEN K, CAI J, FENG X, BERGER R, TSAI J, CAI Y, MULLEN K, MILLEN K