国家/地区 日本（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/02（2） C30B029/02（2）
发明人
公开年
申请年
专利权人 UNIV NAGOYA（2）

Manufacture of single crystal graphene involves thermal decomposition of carbon source by guiding vaporized carbon source vapor with camphor to a heated substrate, and thermally decomposing the compound on the substrate surface.

SHARMA S, TANEMURA M, UMENO M, KALITA G

Manufacture of graphene/silicon carbide composite material for electronic component e.g. semiconductor, involves removing oxide film from surface of silicon carbide single crystal substrate, exposing and heating.

KUSUNOKI M, NORIMATSU W