国家/地区 台湾（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3） C01（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（3） C01B（2） H01L（2）
IPC B82Y030/00（3） B82Y040/00（3） H01L021/02（2）
H01L021/04（2） H01L021/335（2） H01L021/78（2）
H01L029/06（2） H01L029/16（2） H01L029/417（2）
H01L029/423（2） H01L029/66（2） H01L029/76（2）
H01L029/772（2） H01L029/786（2）
发明人 ZHANG T（3）
公开年 2022（2）
申请年 2021（2） 
专利权人 HON HAI PREC.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Making field effect transistor by forming source and drain electrodes on respective first and second ends of graphene nanoribbons, forming insulating layer on nanoribbons, and forming gate on surface of insulating layer away from substrate.

FAN S, LI Q, JIN Y, ZHANG L, ZHANG T

Method for preparing FET e.g. junction FET, involves providing interdigital electrode on graphene nanoribbon composite structure, where electrode covers set of protrusions and is electrically connected to set of graphene nano-ribbons.

ZHANG T, ZHANG L, JIN Y, LI Q, FAN S

Air flow generating device for preparing graphene powder, has thread which is spirally distributed on outer surface of rotating portion from bottom of rotating portion toward top of rotating portion, and passes through thread.

WU D, ZHANG T, LI X, LIN B, WU T, CHANG T, LI H