国家/地区 台湾（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/033（2）
发明人
公开年 2021（2）
申请年
专利权人 APPLIED MATERIALS INC（2）

Forming layer, comprises e.g. exposing substrate to aromatic precursor in processing chamber, rinsing aromatic precursor from processing chamber, and heating substrate deposit graphene hard mask layer on substrate.

BHUYAN B J, LEONCINI A

Forming interconnect structure, comprises e.g. etching patterned interconnect stack and first etch stop layer to form first conductive lines and second conductive lines and expose top surface of first etch stop layer and barrier layer.

JIANG H, LU C, REN H, LANG C, HWANG H D, NAIK M