国家/地区 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C30（2） H01（2）
IPC小类 C30B（2）
IPC C30B029/36（2）
发明人 MITSURU M（2） NORIYUKI M（2） TAKAYASU O（2）
TAKUJI M（2）
公开年 2022（2）
申请年 2021（2） 
专利权人 ROHM CO LTD（2）

Substrate used for semiconductor module applications e.g. diode modules, comprises silicon carbide single crystal substrate, graphene layer, silicon carbide epitaxial growth layer, and polycrystalline layer, in order.

MAKOTO T, TAKUJI M, MITSURU M, NORIYUKI M, TAKAYASU O

Substrate for forming semiconductor device, comprises graphene layer arranged on silicon surface of silicon carbide crystal substrate, epitaxial growth layer, and graphene layer arranged on silicon surface of epitaxial growth layer.

NORIYUKI M, TAKUJI M, MITSURU M, TAKAYASU O