ACS NANO

DE FAZIO D, UZLU B, TORRE I, MONASTERIOBALCELLS C, GUPTA S, KHODKOV T, BI Y, WANG ZX, OTTO M, LEMME MC, GOOSSENS S, NEUMAIER D, KOPPENS FHL

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

BONMANN M, KRIVIC M, YANG XX, VOROBIEV A, BANSZERUS L, STAMPFER C, OTTO M, NEUMAIER D, STAKE J

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY

ASAD M, BONMANN M, YANG XX, VOROBIEV A, JEPPSON K, BANSZERUS L, OTTO M, STAMPFER C, NEUMAIER D, STAKE J

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS

WANG ZX, UZLU B, SHAYGAN M, OTTO M, RIBEIRO M, MARIN EG, IANNACCONE G, FIORI G, ELSAYED MS, NEGRA R, NEUMAIER D

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

BONMANN M, ASAD M, YANG XX, GENERALOV A, VOROBIEV A, BANSZERUS L, STAMPFER C, OTTO M, NEUMAIER D, STAKE J

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

PANDEY H, SHAYGAN M, SAWALLICH S, KATARIA S, ZHENXING W, NOCULAK A, OTTO M, NAGEL M, NEGRA R, NEUMAIER D, LEMME MC

APPLIED PHYSICS LETTERS

SZAFRANEK BN, SCHALL D, OTTO M, NEUMAIER D, KURZ H

NANO LETTERS

HOFRICHTER J, SZAFRANEK BN, OTTO M, ECHTERMEYER TJ, BAUS M, MAJERUS A, GERINGER V, RAMSTEINER M, KURZ H

ANNALEN DER PHYSIK

SHAYGAN M, OTTO M, SAGADE AA, CHAVARIN CA, BACHER G, MERTIN W, NEUMAIER D

2D MATERIALS

BANSZERUS L, JANSSEN H, OTTO M, EPPING A, TANIGUCHI T, WATANABE K, BESCHOTEN B, NEUMAIER D, STAMPFER C