国家/地区 Usa（5）
关键词 TRANSISTOR（5）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（5）
出版时间 2011（2）
机构 HRL LABS LLC（2） USA（2）
作者 CAMPBELL PM（2） CURTIS D（2） GASKILL DK（2） HU M（2）
MOON JS（2） NAYFEH OM（2） TEDESCO JL（2）

Multifinger Embedded T-Shaped Gate Graphene RF Transistors With High f(MAX)/f(T) Ratio

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HAN SJ, OIDA S, JENKINS KA, LU D, ZHU Y

Graphene Transistors on Mechanically Flexible Polyimide Incorporating Atomic-Layer-Deposited Gate Dielectric

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MOON JS, CURTIS D, BUI S, HU M, GASKILL DK, TEDESCO JL, ASBECK P, JERNIGAN GG, VANMIL BL, MYERSWARD RL, EDDY CR, CAMPBELL PM, WENG X

Epitaxial-Graphene RF Field-Effect Transistors on Si-Face 6H-SiC Substrates

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

MOON JS, CURTIS D, HU M, WONG D, MCGUIRE C, CAMPBELL PM, JERNIGAN G, TEDESCO JL, VANMIL B, MYERSWARD R, EDDY C, GASKILL DK