国家/地区 Usa（4）
关键词 GRAPHENE（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVIC.（3）
出版时间 2012（2）
机构 IBM TJ WATSON RES CTR（4）
作者 HAN SJ（4）

Multifinger Embedded T-Shaped Gate Graphene RF Transistors With High f(MAX)/f(T) Ratio

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, OIDA S, JENKINS KA, LU D, ZHU Y

Current Saturation in Submicrometer Graphene Transistors with Thin Gate Dielectric: Experiment, Simulation, and Theory

ACS NANO

HAN SJ, REDDY D, CARPENTER GD, FRANKLIN AD, JENKINS KA

Double Contacts for Improved Performance of Graphene Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

FRANKLIN AD, HAN SJ, BOL AA, PEREBEINOS V

Channel-Length-Dependent Transport Behaviors of Graphene Field-Effect Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, CHEN ZH, BOL AA, SUN YN