国家/地区 Switzerland（3）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（4）
出版时间 2012（4）
机构 ETH（3）
作者 IHN T（4）

Reactive-ion-etched graphene nanoribbons on a hexagonal boron nitride substrate

APPLIED PHYSICS LETTERS

BISCHOFF D, KRAHENMANN T, DROSCHER S, GRUNER MA, BARRAUD C, IHN T, ENSSLIN K

Scanning gate microscopy on a graphene nanoribbon

APPLIED PHYSICS LETTERS

PASCHER N, BISCHOFF D, IHN T, ENSSLIN K

High-frequency gate manipulation of a bilayer graphene quantum dot

APPLIED PHYSICS LETTERS

DROSCHER S, GUTTINGER J, MATHIS T, BATLOGG B, IHN T, ENSSLIN K

Fast detection of single-charge tunneling to a graphene quantum dot in a multi-level regime

APPLIED PHYSICS LETTERS

MULLER T, GUTTINGER J, BISCHOFF D, HELLMULLER S, ENSSLIN K, IHN T