国家/地区 Usa（3）
关键词 GRAPHENE（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（3）
出版时间
机构 IBM TJ WATSON RES CTR（3）
作者 HAN SJ（3）

Multifinger Embedded T-Shaped Gate Graphene RF Transistors With High f(MAX)/f(T) Ratio

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, OIDA S, JENKINS KA, LU D, ZHU Y

Double Contacts for Improved Performance of Graphene Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

FRANKLIN AD, HAN SJ, BOL AA, PEREBEINOS V

Channel-Length-Dependent Transport Behaviors of Graphene Field-Effect Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, CHEN ZH, BOL AA, SUN YN