国家/地区 Usa（23）
关键词 GRAPHENE（6） NANOSTRUCTURED MATE.（2） PHONON（2）
TUNNELLING（2）
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（23）
出版时间 2012（6） 2008（4） 2011（4） 2009（3） 2010（3）
机构 UNIV FLORIDA（23）
作者 GUO J（19） KUMAR SB（5） OUYANG YJ（5） LU Y（3）
SEOL G（3） AN YB（2） APPLETON BR（2） BEHNAM A（2）
HEBARD AF（2） LEMAITRE M（2） POP E（2） TONGAY S（2）
URAL A（2） YOON Y（2）

Metal-semiconductor-metal photodetectors based on graphene/p-type silicon Schottky junctions

APPLIED PHYSICS LETTERS

AN YB, BEHNAM A, POP E, URAL A

Response to "Comment on 'Chiral tunneling in trilayer graphene'" [Appl. Phys. Lett. 101, 226101 (2012)]

APPLIED PHYSICS LETTERS

KUMAR SB, GUO J

Thermal transport in grain boundary of graphene by non-equilibrium Green's function approach

APPLIED PHYSICS LETTERS

LU Y, GUO J

Modeling of a vertical tunneling graphene heterojunction field-effect transistor

APPLIED PHYSICS LETTERS

KUMAR SB, SEOL G, GUO J

Chiral tunneling in trilayer graphene

APPLIED PHYSICS LETTERS

KUMAR SB, GUO J

Drawing graphene nanoribbons on SiC by ion implantation

APPLIED PHYSICS LETTERS

TONGAY S, LEMAITRE M, FRIDMANN J, HEBARD AF, GILA BP, APPLETON BR

Metal contact to graphene nanoribbon

APPLIED PHYSICS LETTERS

SEOL G, GUO J

Graphene/GaN Schottky diodes: Stability at elevated temperatures

APPLIED PHYSICS LETTERS

TONGAY S, LEMAITRE M, SCHUMANN T, BERKE K, APPLETON BR, GILA B, HEBARD AF

Transversal electric field effect in multilayer graphene nanoribbon

APPLIED PHYSICS LETTERS

KUMAR SB, GUO J

Multilayer graphene under vertical electric field

APPLIED PHYSICS LETTERS

KUMAR SB, GUO J