国家/地区 中国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C30（3） H01（3） B82（2）
C23（2）
IPC小类 C30B（3）
IPC H01L021/02（3）
发明人 FAN S（2） WEI Y（2）
公开年 2013（2）
申请年 2012（3）
专利权人 HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Making epitaxial structure which is useful to produce electronics comprises forming patterned epitaxial growth surface of substrate, making graphene layer and epitaxially growing epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y