国家/地区 韩国（64）
IPC部 C（53） B（48） H（38）
G（8） D（4） A（2）
IPC大类 C01（46） B82（39） H01（37）
B01（16） B32（15） C23（15）
C08（9） H05（6） C09（5）
C22（4） D06（4） B05（3）
B21（3） B29（3） C25（3）
IPC小类 C01B（46） B82Y（37） H01L（25）
B32B（15） H01B（15） B01J（14）
C23C（13） H01M（9） B82B（8）
C08J（7） C08K（4） C08L（4）
C22C（4） D06M（4） H01G（4）
IPC C01B031/02（40） B82Y030/00（33） C01B031/04（29）
B82Y040/00（28） C23C016/26（10） H01B001/04（10）
B82B003/00（8） H01L029/16（8） B82Y099/00（7）
H01L029/06（7） H01L029/786（7） H01L021/02（6）
H01L029/78（6） H01M004/36（6） H01M004/583（6）
发明人 CHOI J（7） CHOI J Y（6） SHIN H（6）
SHIN H J（5） AHN J（4） KIM H（4）
CHIBA G（3） CHIBA Y（3） HONG B H（3）
HYEONG K S（3） JEONG K S（3） KIM S H（3）
KIM S J（3） KYOON S M（3） OGUNI T（3）
公开年 2012（64）
申请年 2012（64）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（9） UNIV SUNGKYU.（6） UNIV SUNGKYU.（5） HANWHA TECHW.（4）
SAMSUNG TECH.（4） SEMICONDUCTO.（4） UNIV HANYANG.（4） JX NIPPON MI.（3）
KOREA ADV IN.（3） KOREA ADVANC.（3） KOREA INST S.（3） NIPPON MININ.（3）
NIPPON MININ.（3） UNIST ACADIN.（3） UNIV MANCHES.（3） GRAPHENE SQU.（2）
HANWHA AEROS.（2） NIPPON MININ.（2） SEKISUI CHEM.（2） SEKISUI CHEM.（2）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Reverse osmosis membrane, has microporous support layer and polyamide-based active layer, which is formed on microporous support layer and comprises graphene containing compound.

LEE P, SHIN C, YOO J, JEONG S, LEE Y, SHIN C K, YOO J E, JEONG S P, LEE Y J, WOO J, JUNG S

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene-on-substrate, useful as transparent electrode of e.g. transistor, comprises substrate, first intermediate layer disposed on substrate, graphene disposed on first layer, and second intermediate layer disposed on graphene.

WOO Y, CHOI J, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Producing graphene, used in e.g. capacitor and ink, comprises providing metallic particles as templates, providing carbon source, reacting metallic particles and carbon source and forming graphene particles on metallic particles.

COLEMAN K

Growing a one or two monolayer film of graphene on a substrate, comprises depositing a first layer of graphene on the substrate, and annealing the carbon layer to form an ordered graphene layer one or two monolayers thick on the substrate.

KELBER J

Polycarbonate resin composition used for molded product, comprises specified amount of graphene sheet and polycarbonate-type resin containing polycarbonate polyorganosiloxane copolymer and aromatic polycarbonate by specific mass ratio.

NODERA A

Method for non-destructively transferring graphene, involves nondestructively combining graphene coated with media with target substrate, and removing media to transfer graphene to target substrate nondestructively.

REN W, GAO L, MA L, CHENG H