| 国家/地区 | 美国(4) 印度(3) 中国(2) |
| IPC部 |
C(9)
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| IPC大类 |
C01(9)
H01(9)
B82(3)
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| IPC小类 |
C01B(9)
H01M(7)
B82Y(3)
H01G(2) |
| IPC |
C01B032/23(9)
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| 发明人 | OGUNI T(2) YAMAKAJI M(2) |
| 公开年 | 2021(5) 2022(3) |
| 申请年 |
2021(9)
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| 专利权人 | SEMICONDUCTO.(3) |
HE L, KANG M, MENG K, HERIVING
GHOSH R, KASHYAP A, KALITA H
IKENUMA T, YATABE R, YAMAKAJI M, SAITO Y, YUKAWA M, TODORIKI H
SINGH P K, SHARMA K, TIWARI A K
