国家/地区 美国（3） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（3） C（2）
IPC大类 H01（3） C23（2）
IPC小类 H01L（3） C23C（2）
IPC C23C016/26（2） H01L021/02（2） H01L021/3205（2）
H01L021/768（2）
发明人 NEMANI S D（2）
公开年 2020（2）
申请年 2019（3）
专利权人 APPLIED MATERIALS INC（3）

Forming interconnect structure, comprises e.g. etching patterned interconnect stack and first etch stop layer to form first conductive lines and second conductive lines and expose top surface of first etch stop layer and barrier layer.

JIANG H, LU C, REN H, LANG C, HWANG H D, NAIK M

Forming graphene layer for improving graphene deposition, involves exposing a substrate surface comprising a dielectric material to a microwave surface-wave plasma comprising hydrocarbon and hydrogen radicals to form graphene layer.

ZHOU J, CHEN E, LIANG Q, YING C C, NEMANI S D, YIEH E Y

Forming electronic device i.e. 3-dimentional NAND device involves forming graphene barrier layer on substrate surface and depositing fill layer over barrier layer that prevents diffusion of elements between fill layer and substrate surface.

WU Y, GANDIKOTA S, MALLICK A B, NEMANI S D