国家/地区 韩国（3） 美国（2）
IPC部 C（3） B（2） H（2）
IPC大类 C01（3） B82（2） H01（2）
IPC小类 C01B（3） B82Y（2） H01L（2）
IPC B82Y040/00（2） C01B031/02（2）
发明人 PARK K（3）
公开年 2012（3）
申请年 2011（3） 
专利权人 ELECTRONICS TELECOM RES INST（3）

Method of forming graphene device, involves patterning protection layer and seed layer to form protection pattern and seed pattern with respective lengths in respective directions.

PARK K

Formation of graphene substrate for graphene device, involves forming substrate, forming catalyst layer on substrate, forming graphene and optionally removing catalyst layer.

PARK K

Manufacture of via electrode involves forming via hole at substrate, forming catalyst layer at sidewall and bottom of via hole, and forming graphene layer in via hole by exposing the catalyst layer to solution mixed with graphene particles.

KIM D, BAEK K, PARK K, PARK J M, KIM Z S, KIM J Y, JEONG Y S, DO L, KIM D P, BAEK K H, DO LEE M