国家/地区 美国（3）
IPC部 H（3） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2）
IPC C01B031/02（2） H01L021/02（2） H01L021/04（2）
H01L021/336（2） H01L021/768（2） H01L023/532（2）
H01L029/16（2） H01L029/66（2） H01L029/778（2）
H01L029/786（2） H01L051/05（2） H01L051/30（2）
H01L051/40（2）
发明人
公开年 2015（2）
申请年 2015（3）
专利权人 FUJITSU LTD（3）

Manufacturing method for wiring structure involves removing catalytic material and portion of graphene on insulating film to make graphene remain only in trench.

SATO M

Electronic device e.g. tunnel transistor, comprises channel layer comprising graphene(s) with edge portions terminated with modifying groups different from each other bonded to each other, and electrodes formed on channel layer.

SATO S, JIPPO H, OHFUCHI M, OFUCHI M

Manufacturing method of graphene film, involves removing catalyst metal film in oxidation atmosphere of oxidizer and transferring graphene film to substrate.

KONDO D, NAKANO H, KONDO T, NAKANO M