国家/地区 日本（3） 欧洲专利局（EPO）（2） 美国（2）
IPC部 B（2） C（2） H（2）
IPC大类 B82（2） C01（2） C08（2）
H01（2）
IPC小类 B82Y（2） C01B（2） C08G（2）
H01L（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B032/184（2）
C08G061/12（2） H01L029/786（2） H01L051/30（2）
发明人 OTOMO M（3） OHTOMO M（2）
公开年 2018（2）
申请年 2018（3）
专利权人 FUJITSU LTD（3）

Electronic apparatus for use as top-gate-type FET, has graphene nano ribbon (GNR) layers whose work functions are different, and laminated main portion of first and second GNR layers are provided with charge-transfer complex.

OTOMO M

New 2,6-di(1,1'-binaphthyl-2-yl)biphenyl derivatives useful as a precursor of a graphene nanoribbon.

OHTOMO M, OTOMO M

Graphene nanoribbon used in a semiconductor device which his useful in electronic devices e.g. computers, smartphones, portable telephones and tablet terminals comprises a chiral edge to which an electron-withdrawing group is bonded.

OHTOMO M, OTOMO M