国家/地区 日本（3）
IPC部 H（3） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2）
IPC H01L029/786（3） H01L051/05（3） H01L051/30（3）
H01L021/336（2）
发明人
公开年 2011（3）
申请年 2010（2） 
专利权人 FUJITSU LTD（3）

Manufacturing graphene film used in manufacturing semiconductor device, involves forming catalyst metal layer containing carbon on substrate, and growing graphene film on formed metal layer using carbon containing gas.

IKEDA M, YAMAZAKI T

Pressure sensor for measuring hydraulic pressures, has transistor equipped with graphene layer as channel, and wire containing piezoelectric material and whose one side is connected on gate of transistor.

YAGISHITA Y

Manufacturing method of semiconductor device for, e.g. personal computer (PC), involves forming conductive film touching graphene layer on insulator.

KONDO D, SATO S