国家/地区 美国（3）
IPC部 B（2） C（2） H（2）
IPC大类 B82（2） C01（2） C23（2）
H01（2）
IPC小类 B82Y（2） C01B（2） C23C（2）
H01L（2）
IPC B82Y040/00（2） C01B031/04（2） C23C016/02（2）
C23C016/26（2） C23C016/56（2）
发明人 GUO H（3） DENG P（2） LEI T（2）
ZHANG K（2） ZHANG Y（2）
公开年 2012（2）
申请年 2012（2） 
专利权人 GUO H（3）

Structural graphene production on silicon carbide substrate for manufacturing microelectronic devices includes depositing layer of silicon dioxide as mask, coating mask surface, and exposing to form structured pattern.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG Y, ZHANG K, ZHANG F

Manufacture of graphene on silicon carbide substrate involves producing double-layer carbon membrane, depositing nickel film on silicon substrate, placing carbon surface of double-layer carbon membrane on nickel membrane, and annealing.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG K, ZHANG Y

Preparing silicon intercalated epitaxial monolayer graphene comprises growing large scale high-quality graphene on metal surface, depositing silicon on the prepared epitaxial graphene and annealing to high temperature.

GAO H, PAN Y, GAO M, MAO J, HUANG L, ZHOU H, WANG Y, GUO H, DU S