国家/地区 韩国（4） 美国（2）
IPC部 C（4） H（3）
IPC大类 C01（4） H01（3） C23（2）
IPC小类 C01B（4） H01L（3） C23C（2）
IPC C01B031/04（2） C01B032/186（2） C23C016/26（2）
H01L021/02（2）
发明人 SON M W（4）
公开年 2016（2）
申请年 2018（2） 
专利权人 GWANGJU INST SCI TECHNOLOGY（4）

Manufacturing graphene directly on a substrate without transfer process used in semiconductore devices involves forming a catalyst layer on the substrate, using chemical vapor deposition to inject a carbon compound onto the catalyst layer.

HAM M, SON M W

Method for doping synthesized graphene by high temperature heat treatment in gas atmosphere containing dopant,.

HAM M H, SON M W, MYUNGWOO S

Method for synthesizing multi-layer graphene e.g. trilayer graphene, involves heat-treating catalytic metal layer on substrate while supplying methane gas, and synthesizing multi-layer graphene on heat-treated catalytic metal layer.

HAM M, SON M, HAM M H, SON M W, XIAN W, SUN M

Producing multilayer graphene, comprises e.g. forming a catalytic metal layer on a substrate, supplying carbon source into a reactor, depositing a carbon thin film layer on catalytic metal layer, and forming a multilayer thin film.

HAM M H, SON M W, JANG J S