国家/地区 中国（3） 德国（3） 美国（3）
IPC部 H（3） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2）
IPC H01L029/16（3） C01B031/04（2） H01L021/02（2）
H01L021/324（2）
发明人 RUHL G（3） RUHR G（3）
公开年 2016（3）
申请年 2015（2） 
专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG（3）

Electronic device e.g. passive element, has dielectric structure whose first contact region and second contact region are configured to adjust electrical characteristics of two-dimensional material in contact surfaces of graphene layer.

KOENIG M, RUHL G, RUHR G

Forming graphene structure, comprises forming body with protrusion and forming graphene layer at protrusion outer peripheral surface, or forming cylindrical opening in body and forming graphene layer at inner peripheral surface of opening.

IRSIGLER P, RUHL G, SCHULZE H, SHULZ H, RUHR G, ILSGLLE P

Method for processing substrate used in manufacture of e.g. electronic devices, involves forming graphene layer from specific layer on surface of carrier by temperature treatment.

PRUEGL K, RUHL G, RUHR G, PRUGER K