国家/地区 美国（4）
IPC部 B（4） H（3） C（2）
IPC大类 B82（3） H01（3）
IPC小类 B82Y（3） H01L（3）
IPC H01L021/02（3） B82Y040/00（2） H01L021/36（2）
H01L029/06（2） H01L033/00（2） H01L033/02（2）
H01L033/12（2）
发明人 LEE D（4） AN S（2） AN S J（2）
KIM S（2） KIM S H（2） LEE D G（2）
公开年 2012（2） 2014（2）
申请年 2011（2）  2013（2） 
专利权人 LEE D（4）

Nanosensor, has insulating layer provided with pore, and marker element arranged adjacent to graphene layer and identifies position of graphene layer that is arranged on insulating layer.

JEON T, LEE J, SHIM J, LEE D, EOM K, JEONG H, JEON T H, LEE J H, SHIM J Y, LEE D H, EOM K S, JEONG H J

Fabricating single-layer graphene on silicon carbide wafer used as channels of field-effect transistor array, comprises disposing graphene layers on carbon buffer layer of wafer, and converting buffer layer to single-layer graphene.

WOO Y, YOON S, SHIN H, LEE D, CHOI J, WOO Y S, YOON S M, SHIN H J, LEE D W, CHOI J Y

Compound semiconductor manufacturing method, involves forming graphene-derived material layer on selected substrate, and connecting compound semiconductor layer to graphene-derived material layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, AN S, LEE D, KIM S

Compound semiconductor device for light emitting device i.e. LED, has oxidation graphene layer provided with oxidation graphene sheets on part of surface of substrate, and buffer layer arranged between substrate and semiconductor layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, LEE D K, AN S, LEE D, KIM S