国家/地区 中国（3）
IPC部 H（3） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2）
IPC H01L029/16（3） H01L029/778（3） H01L051/05（3）
H01L051/30（3） C01B031/04（2） H01L021/336（2）
H01L029/06（2） H01L029/51（2） H01L029/78（2）
H01L029/786（2）
发明人 SANDHU G（2） SANDHU G S（2）
公开年 2013（2）
申请年
专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC（3）

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Memory cell switch for reversibly opening and closing circuit, has ferroelectric material formed between graphene structure and conductive structure, where conductive structure provides switch into on and off states.

SANDHU G S, SANDHU G

Method of forming switch e.g. graphene-containing switch for use as select device in memory device e.g. memory array, involves electrically coupling graphene structure with exposed portion of bottom electrode.

SANDHU G S, SANDHU G