国家/地区 日本（3） 美国（3） 世界知识产权组织（3）
IPC部 C（3） H（3） B（2）
IPC大类 C01（3） H01（3） B82（2）
IPC小类 C01B（3） H01L（2）
IPC C01B031/02（3） C01B031/04（2） H01L021/02（2）
H01L029/16（2） H01L029/786（2） H01L051/05（2）
H01L051/30（2） H01L051/40（2）
发明人 HIURA H（2） TSUKAGOSHI K（2）
公开年 2012（3）
申请年 2011（3） 
专利权人 NAT INST MATERIALS SCI（3）

Manufacture of graphene substrate for semiconductor element, involves contacting metal layer and carbon-containing layer, heating to dissolve carbon in carbon-containing layer, and cooling to deposit carbon in metal layer.

HIURA H, TSUKAGOSHI K

Graphite sheet film for graphene sheet capacitor used in electric vehicle, has graphene sheet stacked portion that is connected electrically and mechanically with carbon nanotube at three-dimensional form.

TANG JIE, CHEN QIAN, SHINYA NORIO, ZHANG HAN, QIN LUCHANG, TANG J, CHENG Q, SHINYA N, ZHANG H, QIN L

Manufacture of graphene substrate for manufacturing semiconductor element, involves contacting metal layer and carbide layer, dissolving carbon in carbide layer into metal layer, and depositing carbon of metal layer on carbide layer.

HIURA H, TSUKAGOSHI K