国家/地区 美国（3）
IPC部 C（3） H（2）
IPC大类 C01（3） H01（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/04（3） C01B031/02（2）
发明人 PARK S（3）
公开年
申请年
专利权人 PARK S（3）

Wiring structure for electronic device comprises conductive material layer and nanocrystalline graphene layer.

LEE C, SHIN H, PARK S, IM D, PARK H, SHIN K, LEE J, LIM H, LEE C S, SHIN H J, PARK S J, IM D H, SHIN K W, LEE J M, LIM H J, PIAO X

Manufacture of graphene involves loading catalytic metal layer into chamber, applying tensile force to catalytic metal layer, supplying carbon source to chamber, applying tension, and forming graphene on catalytic metal layer.

MOON J, RHO J, PARK S, KIM T, HONG B, PARK W, JUNG M, KIM T H, ROH J

Graphite/graphene composition, e.g. for use in paints, inks, and ultracapacitors comprises homogeneous suspension of graphite and/or graphene materials in liquid comprising organic solvent and water.

PARK S, RUOFF R S