国家/地区 韩国（3）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3）
IPC小类 C01B（3）
IPC C01B031/02（3）
发明人 JUNG K Y（3） YEONG L S（2）
公开年 2013（3）
申请年 2011（3）
专利权人 RES INST IND SCI TECHNOLOGY（3）

Manufacture of graphene nanoribbon involves immerging carbon nanotubes in ultra-low temperature tub, injecting immersed carbon nanotubes in liquid water and forming ultra-low temperature tubes by liquid nitrogen.

CHEOL A J, JU K B, JUNG K Y, MIN P S, YEONG L S

Manufacture of boron-doped graphene involves mixing boron compound and graphite, and heating mixture under argon atmosphere.

KIM Y, JUNG K Y

Manufacture of nitrogen-doped graphene electrode used for capacitor and electrical double layer condenser, involves peeling graphene from carbonaceous material and doping with nitrogen by plasma process.

KIM Y J, LEE S Y, JUNG K Y, YEONG L S