国家/地区 美国（4） 韩国（3）
IPC部 H（4） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2）
IPC小类 C01B（2） H01L（2）
IPC C01B032/186（2） H01L021/02（2） H01L029/06（2）
H01L029/16（2）
发明人 SHIN H（3） SHIN H J（3） BYUN K（2）
BYUN K E（2） CHO Y（2） CHO Y C（2）
LEE D（2） SHIN K（2） SHIN K W（2）
SONG H（2） SONG H J（2）
公开年 2020（3）
申请年 2018（4）
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（4）

Formation of nanocrystalline graphene used for semiconductor device, involves arranging substrate in chamber, forming protective layer, injecting reaction gas, generating plasma, and growing nanocrystalline graphene on protective layer.

JUNG A, SHIN K, BYUN K, SHIN H, LIM H, NAM S, SONG H, CHO Y, JUNG A R, SHIN K W, BYUN K E, SHIN H J, LIM H S, NAM S G, SONG H J, CHO Y C

Interconnect structure for use in electronic device, has cap layer provided on surface of conductive wiring and which includes nanocrystalline graphene comprising nano-sized crystals.

BYUN K, SHIN K, KIM Y, SHIN H, SONG H, LEE C, KIM C, CHO Y, BIAN Q, SHEN J, JIN Y, SHEN X, SONG X, LI C, JIN C, ZHAO L, BYUN K E, SHIN K W, HUN K Y, SHIN H J, SONG H J, LEE C S, CHO Y C

Diaphragm for e.g. speaker for electronic apparatus, has graphene-containing layer including graphene nanoparticles with average particle size of 10 nanometer, where graphene-containing layer is arranged on surface of auxiliary layer.

KIM S, SHIN H, SEOL M, LEE D, SHIN H J, UK L D

Method of manufacturing multi-layered graphene film used as electrode in manufacture of e.g. battery, involves forming graphene sheet fragments by adjusting graphene growth time to be shorter than graphene growth time of graphene layer.

LEE D, KWON S